ارائه یک مدار BiCMOS جدید برای راندن بارهای خازنی بزرگ چکیده از آنجا که درتکنولوژی BiCMOS برای راندن بارهای خازنی بزرگ تنها در زمان هایی بسیار کوتاه نیاز به جریان کلکتور و بالطبع جریان بیس است، در این نوشتار از خازن‌های موجود بین گیت و سورس ترانزیستورهای ماسفت برای راندن ترانزیستورهای دو قطبی استفاده شده است. خاصیت خازنی فوق، سرعت مدار را نسبت به مدارهای مشابه افزایش داده و جریان ایستای بسیار کمی را تحمیل می‌کند. افزون بر این، در طراحی ارائه شده با کاهش چشمگیر تعداد ترانزیستورها، مساحت تراشه نیز کاهش می‌یابد In this paper regarding the fact that the collector current and therefore Base current are needed for a very short time, in order to drive large capacitive load, using BiCMOS technology, we have used the existing capacitor between source and gate of MOS transistors to do so. This method has increased the speed of the circuit in comparison to its similar circuits, and it needs very low static power dissipation. In this design, remarkable reduction of the number of transistors has lead to a significant improvement in chip area. BiCMOS، دروازه های منطقی، راندن بارهای خازنی، توان ایستا، تأخیر دروازه‌های منطقی BiCMOS, Logic Gate, Driving Large Capacitive Load, Static Power Dissipation, Propagation Delay 41 50 mohammad Rashtian محمد رشتيان No keivan Navi کيوان ناوي navi@sbu.ac.ir No omid Hashemi pour اميد هاشمي پور No