عنوان شماره: پاییز 1387
عنوان به فارسی: ارائه یک مدار BiCMOS جدید برای راندن بارهای خازنی بزرگ

فایل PDF این مقاله:
از صفحه: 41 تا صفحه: 50      
تعداد مشاهده: 255
خلاصه به فارسی:
چکیده از آنجا که درتکنولوژی BiCMOS برای راندن بارهای خازنی بزرگ تنها در زمان هایی بسیار کوتاه نیاز به جریان کلکتور و بالطبع جریان بیس است، در این نوشتار از خازن‌های موجود بین گیت و سورس ترانزیستورهای ماسفت برای راندن ترانزیستورهای دو قطبی استفاده شده است. خاصیت خازنی فوق، سرعت مدار را نسبت به مدارهای مشابه افزایش داده و جریان ایستای بسیار کمی را تحمیل می‌کند. افزون بر این، در طراحی ارائه شده با کاهش چشمگیر تعداد ترانزیستورها، مساحت تراشه نیز کاهش می‌یابد

کلمات کلیدی به فارسی:
BiCMOS، دروازه های منطقی، راندن بارهای خازنی، توان ایستا، تأخیر دروازه‌های منطقی

نویسندگان این مقاله:

	محمد رشتيان	نویسنده اصلی
	کيوان ناوي	نویسنده فرعی	navi@sbu.ac.ir
	اميد هاشمي پور	نویسنده فرعی